CADモデル
製造元 onsemi FDMC86340ET80 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-01-26
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2027-01-10
LTD Date2027-07-10
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonBSC072N08NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 74A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R, PG-TDSON-8, RoHS
VishaySIR826ADP-T1-GE3
Vishay N channel TrenchFET power MOSFET, 80 V, 60 A, SOIC-8, SIR826ADP-T1-GE3
説明
onsemi FDMC86340ET80の詳細は販売業者から提供されます。
PT7 N-ch 80/20V Power Trench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, 3.3X3.3 MM
N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 80V, 68A, 6.5mΩ
MOSFET N-Ch 1Ch 80V 2.8W(Ta) 65W(Tc) 20V 4V@250µA 49nC@10V 6.5mΩ@14A,10V 14A/68A 2.775nF@40V QFN SMD 3.3mm × 3.3mm × 800μm
Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 80V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight152.7 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)68 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.775 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation65 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time7.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time20 ns