onsemi FDMC86340ET80

Name: onsemi FDMC86340ET80
Brand: onsemi
SKU: FDMC86340ET80

PT7 N-ch 80/20V Power Trench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, 3.3X3.3 MM

$ 1.84

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDMC86340ET80	9,000	3K						1.542	6h
Rochester Electronics		FDMC86340ET80	2,870					1.610	1.440	1.350	4h
DigiKey	3	FDMC86340ET80CT-ND	3,030	1	Cut Tape	4.840	3.198	2.265	1.959	1.959
Verical	3	FDMC86340ET80	9,000	3K						1.610
Flip Electronics		FDMC86340ET80	16,971								6d

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2015-01-26

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)

説明

onsemi FDMC86340ET80の詳細は販売業者から提供されます。

PT7 N-ch 80/20V Power Trench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, 3.3X3.3 MM

Newark

N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 80V, 68A, 6.5mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 80V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA

Abacus Technologies

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight152.7 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)68 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance6.5 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time5.1 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance2.775 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation65 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Rds On Max6.5 mΩ

Rise Time7.9 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time23 ns

Turn-On Delay Time20 ns

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