Infineon IPB049N08N5ATMA1

Name: Infineon IPB049N08N5ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB049N08N5ATMA1

Mosfet, N-Ch, 80V, 80A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1

$ 1.191

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IPB049N08N5ATMA1	800	1		1.191	1.191	1.191	1.191	1.191
Rochester Electronics		IPB049N08N5ATMA1	1,000					1.310	1.090	0.969	16h
DigiKey	2	448-IPB049N08N5ATMA1CT-ND	12	1	Cut Tape	3.340	2.170	2.170	2.170	2.170
Avnet		IPB049N08N5ATMA1	0	1K							18h
Farnell	3	IPB049N08N5ATMA1	0	1	Cut Tape	3.027*	1.854*	1.704*	1.363*	1.363*	2h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -44.03%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IPB049N08N5ATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet12ページ0年前

在庫履歴

3か月間の傾向:

-44.03%

CADモデル

製造元 Infineon IPB049N08N5ATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2014-12-17

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-09-30

LTD Date2026-03-31

説明

Infineon IPB049N08N5ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Mosfet, N-Ch, 80V, 80A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB049N08N5ATMA1

Newark

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Jak Electronics

Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in D2PAK package, PG-TO263-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 80V, 80A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Pow

element14 APAC

Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB049N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.

Infineon