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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2009-05-21

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi FDMC6679AZの詳細は販売業者から提供されます。

P-MOSFET transistor FDMC6679AZ Fairchild; -30V; -20A; 10mOhm; SMD MLP 3.3x3.3

Maritex

P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 10mΩ

onsemi

Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R / MOSFET P-CH 30V POWER33

Win Source

FDMC6679AZ Series 30 V -20 A 10 mOhm P-Channel PowerTrench® MOSFET - MLP-8

Future Electronics

MOSFET, P CH, 30V, 20A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0086ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.8V; Power Dissipation Pd:41W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

The FDMC6679AZ has been designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) and ESD protection.

Fairchild Semiconductor

画像

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : -89.36%

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageTO-251-3

Contact PlatingGold

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight165.33333 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)11.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance10 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time46 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance3.97 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation41 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.3 W

Rds On Max10 mΩ

Resistance10 MΩ

Rise Time14 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-1.8 V

Turn-Off Delay Time63 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Dimensions

Height800 µm

Length3.3 mm

Width3.3 mm