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サプライチェーン

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2005-08-23

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)

LTB Date2021-02-17

LTD Date2021-08-17

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

説明

onsemi FDFMA2P853の詳細は販売業者から提供されます。

Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -20V , -3.0A, 120mΩ

onsemi

P-Channel 20 V 120 mOhm Integrated PowerTrench® MOSFET - MicroFET

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC

IHS

MOSFET, P-CH, -20V, -3A, WDFN; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -3A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -700mV; P

Farnell

This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance and an independently connected low forward voltage schottky diode for minimum conduction losses.The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for it's physical size and is well suited to linear mode applications.

Fairchild Semiconductor

画像

Augswan

element14 APAC

Conrad

Rochester Electronics

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

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代替部品

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技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight40 mg

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage2 V

Continuous Drain Current (ID)2.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage20 V

Drain to Source Resistance120 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)20 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time11 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance435 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.4 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation1.4 W

Rds On Max120 mΩ

Resistance120 MΩ

Rise Time11 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time15 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Dimensions

Height750 µm

Length2 mm

Width2 mm

データシート & ドキュメント

onsemi FDFMA2P853のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。