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サプライチェーン

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-08-24

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

説明

onsemi FDMA1027Pの詳細は販売業者から提供されます。

Transistor, mosfet, matched Pair, p-Channel,20V V(Br)Dss,2.2A I(D),llcc |Onsemi FDMA1027P

Newark

PowerTrench® MOSFET, Dual P-Channel, -20V, -3.0A, 120mΩ

onsemi

Dual P-Channel 20 V 120 mO 4 nC SMT PowerTrench® Mosfet - MicroFET 2x2

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-229VCCC

IHS

DC DC Converters 1 (Unlimited) 1 4-SIP Module Through Hole Isolated Module ITE (Commercial) ECONOLINE RI3 (3W) -40°C~85°C 0.45Lx0.30W x 0.40 H 11.4mmx7.6mmx10.2mm CONV DC/DC 3W 05VIN 15VOUT THT S

Utmel Electronic

This device is designed specifically as a single package solution for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-portable applications. It features two independent P-Channel MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction losses. When connected in the typical common source configuration, bi-directional current flow is possible.The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal performance for it's physical size and is well suited to linear mode applications.

Fairchild Semiconductor

画像

iiiC

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

在庫履歴

3か月間の傾向 : +40.77%

CADモデル

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代替部品

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技術仕様

Physical

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight40 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.2 A

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance120 mΩ

Drain to Source Voltage (Vds)-20 V

Element ConfigurationDual

Fall Time11 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)8 V

Input Capacitance435 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.4 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

Power Dissipation700 mW

Rds On Max120 mΩ

Rise Time11 ns

Turn-Off Delay Time15 ns

Turn-On Delay Time9 ns

Dimensions

Height850 µm

Length2 mm

Width2 mm

データシート & ドキュメント

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