価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | FDD86367 | 2,500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | FDD86367 | 3,725 | 50 | |||||||||
| Master Electronics | FDD86367 | 3,740 | 25 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FDD86367 | 3,740 | 25 | Bulk | ||||||||
| Rochester Electronics | FDD86367 | 919 | 3h |
CADモデル
製造元 onsemi FDD86367 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.08
$ 0.978
Stock
397,439
330,020
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
80 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
4.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
227 W
227 W
Input Capacitance
-
4.84 nF
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi FDD86367の詳細は販売業者から提供されます。
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 100 A, 4.2 mΩ
Mosfet, N-Ch, 80V, 100A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDD86367
227W(Tj) 20V 4V@ 250¦ÌA 88nC@ 10 V 1N 80V 4.2m¦¸@ 80A,10V 100A 4.84nF@40V D-PAK,TO-252 2.52mm
N-Channel PowerTrench MOSFET 80V 100A 0.0042Ohm 3-Pin DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252AA
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
MV7 80/20V 1000A N-CHANNEL POWER
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation227 W
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time20 ns