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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-02-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

説明

onsemi FDC6506Pの詳細は販売業者から提供されます。

Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -1.8A, 170mΩ

onsemi

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 1.8A 6-Pin TSOT-23 T/R

Avnet

These P-Channel logic level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.

Fairchild Semiconductor

画像

メーカーの別名

onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

FDC6506P.

在庫履歴

データがありません

CADモデル

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代替部品

0点の部品が利用可能

技術仕様

Physical

Case/PackageSOT-23-6

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight36 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)1.8 A

Current Rating-1.8 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance170 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Dual Supply Voltage30 V

Element ConfigurationDual

Fall Time8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance190 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation960 mW

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingCut Tape

Power Dissipation700 mW

Rds On Max170 mΩ

Resistance170 MΩ

Rise Time8 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage-1.8 V

Turn-Off Delay Time14 ns

Turn-On Delay Time7 ns

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height1.1 mm

Length3 mm

Width1.7 mm

データシート & ドキュメント

onsemi FDC6506Pのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。