CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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 TraceParts | 3D | ダウンロード | |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.461
$ 0.527
Stock
203,580
284,485
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
10 A
10 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
hFE Min
40
40
Power Dissipation
2 W
50 W
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiKSD1588YTU
Transistor, bjt, npn,60V V(Br)Ceo,7A I(C),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSD1588YTU
説明
onsemi D44H8Gの詳細は販売業者から提供されます。
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 60VDC, IC 10A, PD 70W, TO-220,HFE 40,FT 50MHZ
Trans GP BJT NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / TRANS NPN 60V 10A TO220AB
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn; |Onsemi D44H8G.
Power Bipolar Transistor, NPN, 10 A, 60 V
D44 Series 60 V 10 A NPN Complementary Silicon Power Transistor - TO-220AB
60V 2W 10A 40@4A1V 50MHz 1V@8A400mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220 Bipolar Transistors - BJT ROHS
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT 10A 60V 50W NPN
onsemi NPNTransistor, TO-220ABencapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current10 A, maximum collector-emission voltage60 V
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 2W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 60hFE; Transistor Case Style
. . . for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Collector Current10 A
Max Frequency50 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height19.85 mm
Length10.2616 mm
Width4.826 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント