CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 TraceParts | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.545
$ 0.545
Stock
71,846
946,196
946,196
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
400 V
80 V
80 V
Max Collector Current
10 A
10 A
10 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1985-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-12-19
LTD Date2010-06-19
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
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NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
説明
onsemi D44H11の詳細は販売業者から提供されます。
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 4A 1V 10A 2W 50MHz
Power Bipolar Transistor, NPN, 10 A, 80 V
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
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Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingLead, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current10 A
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current10 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency50 MHz
Voltage80 V
Voltage Rating (DC)80 V