CADモデル
製造元 onsemi BD682 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.369
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Stock
8,636,023
856,796
856,796
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-225
SOT-32
SOT-32
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
2 MHz
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
40 W
40 W
40 W
サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi BD682の詳細は販売業者から提供されます。
Bulk Through Hole PNP - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 750 @ 1.5A 3V 4A 40W 25MHz
4.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistor; Package/Case:TO-225AA; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Current Rating:4A; Voltage Rating:100V RoHS Compliant: No
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-225
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation40 W
Transition Frequency2 MHz