CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.246
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Stock
14,521,034
619,698
619,698
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-225
SOT-32
SOT-32
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
200 MHz
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
-
40 W
40 W
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
説明
onsemi BD680Gの詳細は販売業者から提供されます。
4.0 A, 80 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Pnp, -80 V, 200 Mhz, 40 W, -4 A, 750 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD680G
BD Series 80 V 4 A Medium Power Silicon PNP Darlington Transistor - TO-225
PLASTIC MEDIUM-POWER SILICON PNP DARLINGTON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2.5V@ 30mA,1.5A PNP - Darlington 40W 5V 500¦ÌA 80V 80V 4A TO-126 7.74mm*2.66mm*11.04mm
This series of plastic medium-power silicon PNP Darlington transistors can be used as output devices in complementary general-purpose amplifier applications.
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd; Available until stocks are exhausted Alternative available
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 4 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 80 / DC Current Gain (hFE) = 750 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 80 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Power Dissipation (Pd) W = 40 / Package Type = TO-225 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Bulk Box / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 2.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-225
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight17.491656 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Schedule B8541290080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height11.04 mm
Length7.74 mm
Width2.66 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント