CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.502
$ 0.224
$ 0.224
Stock
12,541,096
440,261
440,261
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220
TO-220
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
2 A
2 A
2 A
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
700 mV
700 mV
700 mV
hFE Min
15
15
15
Power Dissipation
30 W
30 W
30 W
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2024-04-06
LTD Date2024-10-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
説明
onsemi BD239CTUの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor, bjt, npn,100V V(Br)Ceo,2A I(C),to-220Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD239CTU
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2.0 A, 80 V, 25W NPN Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Trans GP BJT NPN 100V 2A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage700 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min15
Max Collector Current2 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation30 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length9.9 mm
Width4.5 mm