onsemi BC858AWT1G

Name: onsemi BC858AWT1G
Brand: onsemi
SKU: BC858AWT1G

Bipolar Transistors (BJT); BC858AWT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 30 V; 100 mA

$ 0.046

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		BC858AWT1G	75,000	36K							1d
Newark	2	BC858AWT1G	6,355	5	Cut Tape		0.116	0.075	0.057	0.057
Rochester Electronics		BC858AWT1G	9,000					0.024	0.020	0.018	13h
DigiKey	2	BC858AWT1GOSCT-ND	2,380	1	Cut Tape	0.190	0.115	0.071	0.045	0.045
Flip Electronics		BC858AWT1G	171,000								3d

在庫履歴

3か月間の傾向 : -0.09%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi BC858AWT1Gのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Master Electronics

Datasheet6ページ11年前

Datasheet7ページ1年前

IHS

Newark

Arrow Electronics

在庫履歴

3か月間の傾向:

-0.09%

CADモデル

製造元 onsemi BC858AWT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

onsemiBC858AWT1G

onsemiBC858ALT1G

Price @ 1000

$ 0.046

$ 0.022

Stock

622,934

5,356,685

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-23-3

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

30 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

650 mV

-650 mV

hFE Min

125

Power Dissipation

150 mW

300 mW

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-04-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi BC858AWT1Gの詳細は販売業者から提供されます。

Bipolar Transistors (BJT); BC858AWT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 30 V; 100 mA

Maritex

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

IHS

100 mA, 30V PNP Bipolar Junction Transistor

onsemi

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 150mW 3-Pin SC-70 T/R

Verical

650mV@ 5mA,100mA PNP 150mW 5V 15nA 30V 30V 100mA SOT-323 2.1mm*1.24mm*850¦Ìm

UnikeyIC

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 which is designed for low power surface mount applications.

North Star Micro

TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -30V, SOT-323; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 125hFE; Transistor Case Style: SOT-323; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Bipolar Transistor, Pnp, -30V; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:30V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:150Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:100Mhzrohs Compliant: Yes |Onsemi BC858AWT1G

Newark