価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BC857BDW1T1G | 606,000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | BC857BDW1T1G | 3,000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | BC857BDW1T1G | 6,175 | 343 | |||||||||
| Arrow Electronics | BC857BDW1T1G | 6,175 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | BC857BDW1T1G | 3,000 | 3K | Tape & Reel |
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.049
$ 0.056
Stock
10,277,122
2,554,224
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
-400 mV
hFE Min
220
220
Power Dissipation
380 mW
200 mW
サプライチェーン
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiBC847BPDW1T2G
100 mA 45 V, Co-packaged NPN and PNP Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
onsemiBC847BPDW1T3G
100 Ma 45 V, Co-Packaged Npn And Pnp Bipolar Junction Transistor/ Reel |Onsemi BC847BPDW1T3G
説明
onsemi BC857BDW1T1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar Transistors (BJT); BC857BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 45 V; 100 mA; 6
ON SEMI BC857BDW1T1G DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 6-PIN SC-88
PNP DUAL GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans General Purpose BJT PNP 45 Volt 0.1A 6-Pin SC-88 Tape and Reel
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363 / Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP
General Purpose Transistors Dual PNP Ic=100mA Vceo=45V hfe=220~475 P=380mW SOT363
100 mA 45 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -45V; Power Dissipation Pd: 380mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 150hFE; Transistor Case Style: SOT-363; No. of P
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, PNP, -45V, 0.1A, SOT-363-6; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage Max NPN:-; Collector Emitter Voltage Max PNP:-45V; Continuous Collector Current NPN:-; Continuous Collector Current PNP:100mA; Qualification:-RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント