価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | BC848CLT1G | 1,080,000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BC848CLT1G | 39,000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | BC848CLT1G | 17,366 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | BC848CLT1G | 516,000 | 27523 | |||||||||
| Arrow Electronics | BC848CLT1G | 61,974 | 1 |
CADモデル
製造元 onsemi BC848CLT1G のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.033
$ 0.051
$ 0.051
Stock
15,905,777
10,317,096
10,317,096
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
420
420
420
Power Dissipation
300 mW
310 mW
310 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiBC849CLT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
説明
onsemi BC848CLT1Gの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
ON SEMI BC848CLT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); BC848CLT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 30 V; 100 mA
30V 300mW 420@2mA,5V 100mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
BC848CLT1G Series NPN 30 V 100 mA SMT General Purpose Transistor - SOT-23
100 mA, 30 V, NPN Bipolar Junction Transistor
ON Semiconductor BC848CLT1G Transistor NPN Maximum Voltage 30V Current 100mA
General Purpose Transistors NPN Silicon VCEO=30V VEBO=5V IC=100mA SOT23
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Cas
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height940 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント