onsemi BC847BDW1T3G

Name: onsemi BC847BDW1T3G
Brand: onsemi
SKU: BC847BDW1T3G

on Semi BC847BDW1T3G Dual NPN Bipolar Transistor, 0.1 A, 45 V, 6-PIN SOT-363

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Avnet	2	BC847BDW1T3G	240,000	50K							1d
Newark	2	BC847BDW1T3G	3,943	5	Cut Tape		0.119	0.076	0.057	0.057
Arrow Electronics	2	BC847BDW1T3G	60,000	1		0.179	0.090	0.066	0.039	0.027
Verical	3	BC847BDW1T3G	358	264					0.034	0.034
Rochester Electronics		BC847BDW1T3G	67,622					0.025	0.021	0.018	3h

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IHS

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Future Electronics

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onsemiBC847BDW1T1G

Price @ 1000

$ 0.041

$ 0.043

Stock

39,456,131

48,868,897

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT-363-6

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

45 V

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

100 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

600 mV

hFE Min

200

Power Dissipation

380 mW

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-02-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi BC847BDW1T3Gの詳細は販売業者から提供されます。

ON SEMI BC847BDW1T3G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 6-PIN SOT-363

RS (Formerly Allied Electronics)

Dual NPN 45 V 0.1 A Surface Mount General Purpose Transistor - SOT-363

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

IHS

TRANSISTOR, BIPOL, DUAL NPN, 45V, SOT363; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:

element14 APAC

Transistor, Bipol, Dual Npn, 45V, Sot363; Transistor Polarity:Dual Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:45V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current Npn:100Ma; Continuous Collector Current Pnp:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC847BDW1T3G

Newark