CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.132
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Stock
393,191
177,923
177,923
Authorized Distributors
1
1
1
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-92
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
500 mA
1 A
1 A
Transition Frequency
50 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
25
40
40
Power Dissipation
1.5 W
625 mW
625 mW
サプライチェーン
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1982-11-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2006-12-31
LTD Date2007-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiKSC1008YBU
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiKSD1616ALBU
Bulk Through Hole NPN KSD1616 Bipolar (BJT) Transistor 300 @ 100mA 2V 1A 750mW 160MHz
説明
onsemi BC639の詳細は販売業者から提供されます。
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 150mA 2V 100nA ICBO 625mW 100MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN Transistor 0.5V @IC=500mA IB=50mA 1W 5V 100nA 100V 80V 1A TO-226 TO-92 TH 5.33mm H
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Box / TRANS NPN 80V 1A TO-92
High Current NPN Bipolar Transistor
TRANSISTOR, NPN TO-92; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Style: TO-92; No. of Pins: 3Pins; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Continuous Collector Current Ic Max: 1.5A; Current Ic Continuous a Max: 1.5A; Current Ic hFE: 150mA; Gain Bandwidth ft Typ: 130MHz; Hfe Min: 40; No. of Transistors: 1; Pin Configuration: a; Power Dissipation Ptot Max: 625mW; Transistor Type: General Purpose; Voltage Vcbo: 100V
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; DC Current Gain Min (hfe):40; Package/Case:TO-92; C-E Breakdown Voltage:80V; DC Collector Current:1A; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Manufacturer Package IdentifierTO−92 CASE 29 STYLE 14
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
TerminationThrough Hole
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V