CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | 3D | ダウンロード | |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.047
$ 0.065
$ 0.065
Stock
947,243
1,220,604
1,220,604
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
500 mW
500 mW
500 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
説明
onsemi BC547BTAの詳細は販売業者から提供されます。
Transistor General Purpose BJT NPN 45 Volt 0.1 Amp 3-Pin TO-92 Ammo
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BC547 Series 45 V 100 mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
NPN BJT Transistor, 45V VCEO, 100mA IC, 300MHz, TO-92
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
45V 500mW 100mA 200@2mA5V 300MHz 250mV@100mA5mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage45 V
BIPOLAR Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:45V; Continuous Collector Current:100mA; Power Dissipation:500mW; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Transi 82C0428
TRANSISTOR, NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:200; Package / Case:TO-92; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:General Purpose
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
TerminationThrough Hole
Transition Frequency300 MHz
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント