CADモデル
製造元 onsemi 2SC5706-TL-E のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | 3D | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.513
$ 0.633
Stock
304,967
334,746
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
-
Case/Package
SOT-428
TO-252-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
5 A
5 A
Transition Frequency
400 MHz
400 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
160 mV
160 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
800 mW
800 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
説明
onsemi 2SC5706-TL-Eの詳細は販売業者から提供されます。
Bipolar Transistor, 50V, 5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 400MHz 800 mW Surface Mount TP-FA
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252
Trans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
240mV@100mA 2A NPN 800mW 6V 1μA 100V 50V 5A TP-FA SMD 6.5mm × 5.5mm × 2.3mm
TRANSISTOR,NPN,50V,5A,SOT428; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:400MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:560; Transistor Case Style:SOT-428; No. of Pins:3; Gain Bandwidth ft Typ:400MHz
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-428
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage160 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product400 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation800 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency400 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
準拠ステートメント