onsemi 2N7002ET1G

Name: onsemi 2N7002ET1G
Brand: onsemi
SKU: 2N7002ET1G

2N7002E: Small Signal MOSFET 60V 310mA 2.5 Ohm Single N-Channel SOT-23

$ 0.054

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	2N7002ET1GOSCT-ND	36,147	1	Cut Tape	0.220	0.136	0.084	0.054	0.037
Future Electronics	3	2N7002ET1G	4,365,000	3K	Tape & Reel					0.020
Avnet	3	2N7002ET1G	288,000	3K						0.025	12h
Newark	3	2N7002ET1G	4,248	1	Cut Tape	0.218	0.218	0.087	0.059	0.059
Master Electronics		2N7002ET1G	282,000	3K						0.020

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Farnell

Datasheet5ページ19年前

IHS

Upverter

element14 APAC

Newark

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部品

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onsemi2N7002ET1G

Diodes Inc.2N7002E-7-F

Price @ 1000

$ 0.054

Stock

17,837,017

6,423,175

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

260 mA

250 mA

Threshold Voltage

1 V

Rds On Max

2.5 Ω

3 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

300 mW

540 mW

Input Capacitance

26.7 pF

50 pF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-04-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi 2N7002ET1Gの詳細は販売業者から提供されます。

2N7002E: Small Signal MOSFET 60V 310mA 2.5 Ohm Single N-Channel SOT-23

North Star Micro

2N7002ET1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.26 A, 60 V, 3-PIN SOT-23

RS (Formerly Allied Electronics)

N-Channel 60 V 2.5 O 300 mW 0.81 nC Surface Mount Small Signal Mosfet - SOT-23

Future Electronics

Transistor MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet Japan

MOSFETs- Power and Small Signal SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA SINGL CH

Mouser

MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT-23 - only ON S

Component Sense

MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms

Digi-ic_SMART PIONEER

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.26A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236

Semicontronic

N Channel Mosfet, 60V, 310Ma Sot-23, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:310Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:420Mw Rohs Compliant: Yes |Onsemi 2N7002ET1G.

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 310 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.6 / Rise Time ns = 1.2 / Turn-OFF Delay Time ns = 4.8 / Turn-ON Delay Time ns = 1.7 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 420

Distrelec