onsemi 2N7002

Name: onsemi 2N7002
Brand: onsemi
SKU: 2N7002

N-Channel MOSFET, Enhancement Mode, 60V, 0.115A, 7.5Ω

$ 0.172

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	3	2N7002	2,595,000	3K	Tape & Reel					0.040
Avnet	4	2N7002	231,000	3K						0.030	5d
Newark	2	2N7002	12,945	1	Cut Tape	0.632	0.632	0.272	0.216	0.216
Arrow Electronics	2	2N7002	2,286,000	3K						0.025
Verical	3	2N7002	2,286,000	3K						0.025

在庫履歴

3か月間の傾向 : -1.80%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi 2N7002のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet12ページ2年前

Datasheet0ページ0年前

Datasheet2ページ0年前

Electro Sonic

Upverter

TME

onsemi

在庫履歴

3か月間の傾向:

-1.80%

CADモデル

製造元 onsemi 2N7002 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

onsemi2N7002

onsemi2N7002LT1G

Price @ 1000

$ 0.172

$ 0.057

Stock

18,523,383

178,283,200

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

SOT-23-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

115 mA

Threshold Voltage

2.1 V

1 V

Rds On Max

7.5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

200 mW

225 mW

Input Capacitance

50 pF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1989-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

説明

onsemi 2N7002の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel MOSFET, Enhancement Mode, 60V, 0.115A, 7.5Ω

onsemi

N-Channel 60 V 7.5 Ohm SMT Enhancement Mode Field Effect Transistor SOT-23

Future Electronics

Transistor MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet Japan

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 280 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

MOSFET, N, 60V, SOT-23; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 115mA; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.1V; Power Dissip

Farnell

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 115 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 7.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 20 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) mW = 200

Distrelec

This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This product has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. This product is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.

Fairchild Semiconductor