CADモデル
製造元 onsemi 2N6387 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 1.339
$ 0.552
Stock
104,247
102,627
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220AB
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
10 A
10 A
Transition Frequency
2 MHz
20 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
2 V
hFE Min
100
1000
Power Dissipation
2 W
2 W
サプライチェーン
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2009-02-11
LTD Date2009-08-11
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
関連部品
onsemiKSE3055TTU
Small Signal Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB
説明
onsemi 2N6387の詳細は販売業者から提供されます。
Tube Through Hole NPN - Darlington Single Bipolar (BJT) Transistor 1000 @ 5A 3V 10A 2W 60V
10 A, 80 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current10 A
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min100
Max Collector Current10 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height19.85 mm