CADモデル
製造元 onsemi 2N4403TFR のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.057
$ 0.064
$ 0.064
Stock
2,382,713
1,596,736
1,596,736
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
TO-92
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
750 mV
750 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
説明
onsemi 2N4403TFRの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
2N4403 Series 40 V 0.6 A PNP Through Hole General Purpose Amplifier - TO-92-3
Tape & Reel (TR) Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 150mA 2V -600mA 625mW 200MHz
PNP Bipolar Junction Transistor, TO-92
40V 625mW 600mA PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
メーカーの別名
onsemiは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 onsemi は以下の名前でも知られているかもしれません：
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm