Nexperia PUMH13,115

Name: Nexperia PUMH13,115
Brand: Nexperia
SKU: PUMH13,115

50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1= 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ

$ 0.049

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		PUMH13,115	15,000	3K						0.049	2d
Newark	2	PUMH13,115	166	1	Cut Tape	0.333	0.207	0.128	0.128	0.128
Verical	7	PUMH13,115	126,000	3K						0.031
Arrow Electronics		PUMH13,115	126,000	3K						0.034
Rochester Electronics		PUMH13,115	8,964,915					0.058	0.049	0.043	21h

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NexperiaPUMH13,115

NexperiaPUMH10,115

Price @ 1000

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$ 0.047

Stock

36,830,481

4,567,893

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

Max Collector Current

100 mA

Transition Frequency

230 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

100 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

200 mW

サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-04-15

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 3 years ago)

説明

Nexperia PUMH13,115の詳細は販売業者から提供されます。

50 V, 100 mA NPN/NPN resistor-equipped double transistor; R1= 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩ

Nexperia

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon

Semicontronic

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin TSSOP T/R

Avnet

Bipolar Transistors (BJT); PUMH13,115; NEXPERIA; NPN; 6

Maritex

PUMH13 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; \nR1 = 2.2 kO, R2 = 47 kO

Fly-Wing Technology

PUMH13 Series 30 V 100 mA Surface Mount NPN Digital Transistor - SOT-363

Future Electronics

2 NPN pre-biased (Dual) 300mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS

Dasenic

BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 47KOHM / OPEN, 6-SOT-363; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:47kohm; RF Transistor Case:SOT-363; No. of Pins:6 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Power Dissipation (Pd) mW = 300 / Typical Input Resistor kOhm = 4.7 / Typical Resistor Ratio kOhm = 10 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Package Type = SOT-363 / Pins = 6 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 100 / Operating Frequency MHz = 230

Distrelec

TRANSISTOR, DIGITAL, DUAL, SOT-363; Digital Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-363; No. of Pins: 6 Pin; Product Range: PUMH13 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Full Power Rating Temperature: 25°C; Module Configuration: Dual; No. of Pins: 6Pins; No. of Transistors: 2; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 200mW; Transistor Case Style: SOT-363; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: Bias Resistor (BRT); Transition Frequency ft: 230MHz; Voltage Vcbo: 50V

Farnell