Nexperia PSMN1R7-60BS,118

Name: Nexperia PSMN1R7-60BS,118
Brand: Nexperia
SKU: PSMN1R7-60BS,118

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 2.142

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		PSMN1R7-60BS,118	400	42				2.142	2.142	2.142
TME	2	PSMN1R7-60BS.118	369	1		3.860	3.040	2.600	2.460	2.460	22h
DigiKey	3	1727-7106-1-ND	1,147	1	Cut Tape	4.860	3.210	2.274	2.274	2.274
Newark		PSMN1R7-60BS,118	0	1		5.850	5.270	4.320	3.480	3.480
Avnet		PSMN1R7-60BS,118	0	4800							11h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -38.95%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Nexperia PSMN1R7-60BS,118のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet14ページ14年前

Future Electronics

TME

在庫履歴

3か月間の傾向:

-38.95%

CADモデル

製造元 Nexperia PSMN1R7-60BS,118 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

NexperiaPSMN1R7-60BS,118

InfineonIPB019N06L3GATMA1

Price @ 1000

$ 2.142

$ 2.06

Stock

537,935

1,340,463

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT

TO-263

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

120 A

Threshold Voltage

1.7 V

Rds On Max

2 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

306 W

250 W

Input Capacitance

9.997 nF

21 nF

サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-02-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

説明

Nexperia PSMN1R7-60BS,118の詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

N-channel 60 V 2 mΩ standard level MOSFET in D2PAK

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

PSMN1R7 Series 60 V 2 mOhm SMT N-Channel Standard Level MOSFET - D2PAK-3

Future Electronics

MOSFET, N-CH, 60V, 120A,D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00166ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe

Farnell

Mosfet, N Channel, 60V, 120A,d2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:120A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):0.00166Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Nexperia PSMN1R7-60BS,118

Newark