CADモデル
製造元 Nexperia PSMN009-100B,118 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
代替部品
Price @ 1000
$ 2.404
$ 1.61
Stock
134,331
240,070
Authorized Distributors
4
3
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
8.8 mΩ
10 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
230 W
200 W
Input Capacitance
8.25 nF
5.15 nF
サプライチェーン
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusDISCONTINUATION OF DELIVERY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
NXP SemiconductorsBUK7619-100B,118
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsBUK7109-75AIE,118
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) D2PAK T/R
NXP SemiconductorsBUK9E6R1-100E,127
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
説明
Nexperia PSMN009-100B,118の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
230W(Tc) 20V 4V@1mA 156nC@ 10 V 1N 100V 8.8m¦¸@ 25A,10V 75A 8.25nF@25V D2PAK 10.3mm*9.4mm*4.5mm
Mosfet Rohs Compliant: Yes |Nexperia PSMN009-100B,118
75 A 100 V 0.0088 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance8.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time43 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.25 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation230 W
Rds On Max8.8 mΩ
Rise Time59 ns
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time38 ns