CADモデル
製造元 Nexperia PMD2001D のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.135
Stock
141,304
688,450
Authorized Distributors
0
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
TSOP
Polarity
NPN, PNP
NPN, PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
-
Max Collector Current
600 mA
600 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
500 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
320 mW
540 mW
サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
説明
Nexperia PMD2001Dの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
600 mA 40 V 2 CHANNEL NPN AND PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, SSOT-6; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:320mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:SuperSOT;
TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, SSOT-6; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:40V; Current Ic Continuous a Max:600mA; Voltage, Vce Sat Max:250mV; Power Dissipation:320mW; Min Hfe:50; Case Style:SSOT-6; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Current Ic hFE:500mA; Power, Ptot:320mW; SMD Marking:9E; Voltage, Vcbo:40V
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
hFE Min100
Max Collector Current600 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation320 mW
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation320 mW