Nexperia PBSS306NZ,135

Name: Nexperia PBSS306NZ,135
Brand: Nexperia
SKU: PBSS306NZ,135

PBSS306NZ Series 100 V 5.1 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-223

$ 0.523

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	PBSS306NZ,135	20	1	Cut Tape	3.190	2.200	2.200	2.200	2.200
Verical		PBSS306NZ,135	4,000	595					0.582	0.519
Rochester Electronics	2	PBSS306NZ,135	12,000					0.561	0.465	0.415	15h
Future Electronics		PBSS306NZ,135	0	4K	Tape & Reel					1.130
Avnet		PBSS306NZ,135	0	4K							4d

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Future Electronics

Datasheet15ページ16年前

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75

Introduction Date2006-09-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

説明

Nexperia PBSS306NZ,135の詳細は販売業者から提供されます。

PBSS306NZ Series 100 V 5.1 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-223

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 5.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Semicontronic

Trans GP BJT NPN 100V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Avnet Japan

100V 700mW 5.1A 60@5A2V 110MHz 215mV@5.1A255mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ, ft:110MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:5.1A; DC Current Gain Max (hfe):330 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANS NPN 100V 5.1A SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:5.1A; DC Current Gain hFE:330; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:40mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:700mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

element14 APAC