Nexperia BST82,215

Name: Nexperia BST82,215
Brand: Nexperia
SKU: BST82,215

BST82 Series 100 V 10 Ohm 0.83 W N-Channel Silicon Surface Mount MOSFET - SOT-23

$ 0.161

Production

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BST82,215	350	1	Cut Tape	0.805	0.499	0.376	0.376	0.376
Verical		BST82,215	130	23				0.185	0.118	0.078
Arrow Electronics		BST82,215	130	1		0.479	0.292	0.185	0.185	0.185
TME	2	BST82.215	0	1		0.430	0.356	0.297	0.160	0.148	1d
Future Electronics		BST82,215	0	3K	Tape & Reel					0.345

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NexperiaBST82,215

NexperiaBST82,235

Price @ 1000

$ 0.161

$ 0.131

Stock

1,263,602

1,144,773

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

SOT

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

175 mA

Threshold Voltage

Rds On Max

10 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

830 mW

Input Capacitance

40 pF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1993-03-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

説明

Nexperia BST82,215の詳細は販売業者から提供されます。

BST82 Series 100 V 10 Ohm 0.83 W N-Channel Silicon Surface Mount MOSFET - SOT-23

Future Electronics

MOSFET Devices; NEXPERIA; BST82, 215; 100 V; 190 mA; 5 Ohm; 2

Maritex

Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R

Avnet Japan

175 mA 80 V N-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET

Component Stockers USA

Nexperia NMOS, Vds=100 V, 190 mA, SOT-23, , 3

UnikeyIC

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

Nexperia

DIODE, ZENER, 0.3W, 5.1V, SOD523, REEL

element14 APAC

MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:190mA; Drain Source Voltage, Vds:100V; On Resistance, Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2V ;RoHS Compliant: Yes

Newark