CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.268
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Stock
483,267
3,559,750
3,559,750
Authorized Distributors
0
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-143
TO-253-4
TO-253-4
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
420
110
110
Power Dissipation
250 mW
250 mW
250 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
InfineonBCV62BE6327HTSA1
Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, 220 hFE, SOT-143, 4 Pins
InfineonBCV61BE6327HTSA1
Single Bipolar Transistor, Dual NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-143, 4 Pins, Surface Mount
NXP SemiconductorsBFG520/XR,215
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Rochester ElectronicsBF2040RE6814
Power Field-Effect Transistor, 0.04A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonBFP183E7764HTSA1
BFP183 Series 12 V 65 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-143
説明
Nexperia BCV61Cの詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
Bipolar (BJT) single-bipolar transistor
100 mA 30 V 2 CHANNEL NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
TRANSISTOR, DUAL, NPN, SOT-143; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-143; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Collector Emitter Voltage Vces:600mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic @ Vce Sat:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:100µA; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:2; Package / Case:SOT-143; Power Dissipation Pd:250mW; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:1Kp; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:30V
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-143
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
hFE Min420
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm