CADモデル
製造元 Nexperia BCP68,115 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.163
$ 0.181
$ 0.181
Stock
847,068
724,331
724,331
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-223
SOT-223
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
20 V
20 V
20 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
40 MHz
40 MHz
40 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
60
160
160
Power Dissipation
1.5 W
1.35 W
1.35 W
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
PanasonicDSC550100L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
説明
Nexperia BCP68,115の詳細は販売業者から提供されます。
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Bipolar Junction Transistors - BJT; NEXPERIA; BCP68, 115; NPN; 4; 20 V; 2 A
BCP68 Series 20 V 2 A Surface Mount NPN Power Transistor - SOT-223
Trans GP BJT NPN 20V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Avnet Japan
20 V, 2 A NPN medium power transistor
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ ft:170MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain Max (hfe):85 ;RoHS Compliant: Yes
Nexperia NPNTransistor, SOT-223 (SC-73)encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current2 A, maximum collector-emission voltage20 V
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- Infineon_Nexperia
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight4.535924 g
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)32 V
Collector Emitter Breakdown Voltage20 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)20 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency170 MHz
Gain Bandwidth Product170 MHz
hFE Min60
Max Breakdown Voltage20 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency170 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency40 MHz
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント