CADモデル
製造元 Nexperia BC847,235 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.024
$ 0.021
Stock
1,923,019
8,552,981
Authorized Distributors
5
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
hFE Min
110
110
Power Dissipation
250 mW
250 mW
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1993-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
関連部品
NXP Semiconductors2PD601AR,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
説明
Nexperia BC847,235の詳細は販売業者から提供されます。
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
45V 250mW 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
BC847 Series 45 V 100 mA NPN Surface Mount Silicon Transistor - SOT-23
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
100 mA 45 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
メーカーの別名
Nexperiaは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Nexperia は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min110
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Transition Frequency100 MHz