CADモデル
製造元 Littelfuse IXTA3N120 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTB28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
説明
Littelfuse IXTA3N120の詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 1200 V 4.5 Ohm 200 W Power Mosfet - TO-263
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1200V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
メーカーの別名
Littelfuseは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Littelfuse は以下の名前でも知られているかもしれません：
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.1 kV
Drain to Source Resistance4.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max4.5 Ω
Resistance4.5 Ω
Reverse Recovery Time700 ns
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV