Infineon IPB200N15N3GATMA1

Name: Infineon IPB200N15N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB200N15N3GATMA1

Trans Mosfet N-ch 150V 50A 3-PIN TO-263 T/r

$ 1.387

Obsolete

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Distributor	SKU		Min
Arrow Electronics	IPB200N15N3GATMA1	1,720	1	1.387	1.387	1.387	1.387	1.387
Farnell	IPB200N15N3GATMA1	0	1	3.763*	2.460*	1.720*	1.720*	1.720*	6h
Microchip USA	IPB200N15N3GATMA1	145	150				10.811	10.811	2d
Verical	IPB200N15N3GATMA1	1,720	2		2.242	1.615	1.326	1.326
Component Stockers USA	IPB200N15N3GATMA1	38,967		2.100	1.890	1.640	1.020	1.430	>1wk

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2008-05-09

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

説明

Infineon IPB200N15N3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin TO-263 T/R

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Semicontronic

The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

Infineon

MOSFET, N CH, 50A, 150V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

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