CADモデル
製造元 Infineon SPP08N50C3XKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
関連部品
STMicroelectronicsSTP11N65M5
N-channel 650 V, 0.43 Ohm, 9 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
説明
Infineon SPP08N50C3XKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
7.6 A 500 V 0.6 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
COOL MOS POWER TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 560V, 7.6A, To-220; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:7.6A; Drain Source Voltage Vds:560V; On Resistance Rds(On):0.5Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes
Replacement for 500V CoolMOS C3 is 500V CoolMOS CE >> Click & go to 500V CoolMOS CE | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.6 A
Current Rating7.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage560 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance750 pF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance600 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation83 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)560 V
Dimensions
Height15.65 mm
Length10 mm
Width4.4 mm