Infineon SPP04N80C3XKSA1

Name: Infineon SPP04N80C3XKSA1
Brand: Infineon
SKU: SPP04N80C3XKSA1

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

$ 0.664

NRND

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	SPP04N80C3XKSA1	1,000	1		2.150	1.050	0.933	0.684	0.684
Arrow Electronics	SPP04N80C3XKSA1	2,775	1		2.512	1.226	1.089	0.798	0.798
Rochester Electronics	SPP04N80C3XKSA1	213					0.789	0.655	0.584	22h
DigiKey	SPP04N80C3XKSA1-ND	500	1	Tube	2.300	2.300	0.999	0.731	0.581
Avnet	SPP04N80C3XKSA1	0	1K					0.577	0.560	2d

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-11-07

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon SPP04N80C3XKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

63W 20V 2.1V 20nC@ 10V 1N 800V 1.3¦¸@ 10V 4A 570pF@ 25V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm

UnikeyIC

800V 4A 1.3´Î@10V2.5A 63W 3.9V@240Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, COOLMOS, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:800V; Current, Id Cont:3A; Resistance, Rds On:3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220FP; ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 4 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 800 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 1.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 12 / Rise Time ns = 15 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 63

Distrelec

800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting; Solar

Infineon