Infineon IPP90R1K2C3XKSA2

Name: Infineon IPP90R1K2C3XKSA2
Brand: Infineon
SKU: IPP90R1K2C3XKSA2

Transistor MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-220 Tube

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NRND

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Newark		IPP90R1K2C3XKSA2	488	1	2.760	1.880	1.370	1.090	1.080
Arrow Electronics		IPP90R1K2C3XKSA2	1,045	1	0.928	0.928	0.928	0.928	0.928
Rochester Electronics	2	IPP90R1K2C3XKSA1	3,800				0.868	0.720	0.642	23h
Avnet		IPP90R1K2C3XKSA2	0	1K				0.739	0.722	2d
Farnell	2	IPP90R1K2C3XKSA2	488	1	2.847*	1.825*	1.238*	0.907*	0.894*	23h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-07-30

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IPP90R1K2C3XKSA2の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin TO-220 Tube

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:5.1A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:83W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

900V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting

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