CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
InfineonIPD80R2K8CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 / N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
InfineonIPD60R2K1CEAUMA1
Mosfet, N-Ch, 600V, 3.7A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R2K1CEAUMA1
説明
Infineon SPD02N80C3ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
42KW 20V 3.9V 9nC@ 10V 2N 800V 2.7¦¸@ 10V 2A 290pF@ 25V TO-252 6.5mm*622cm*2.51mm
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):2.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:42W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:2A; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Pd:42W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 800 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 2.7 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 18 / Rise Time ns = 15 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 42
800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting; Solar
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Current Rating2 A
Drain to Source Resistance2.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance290 pF
Max Dual Supply Voltage800 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance2.7 Ω
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation42 W
Rds On Max2.7 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)800 V