Infineon SI4435DYTRPBF

Name: Infineon SI4435DYTRPBF
Brand: Infineon
SKU: SI4435DYTRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -30V; Rds(on) 0.015 Ohm; Id -8A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V; -55

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	39M3596	28	1		1.280	0.792	0.527	0.410	0.410	2d
Newark		SI4435DYTRPBF	28	1	Cut Tape	1.280	0.792	0.527	0.373	0.373
Arrow Electronics	2	SI4435DYTRPBF	6,948	1		0.257	0.257	0.257	0.257	0.257
Rochester Electronics		SI4435DYTRPBF	90					0.367	0.304	0.271	22h
DigiKey	2	SI4435DYPBFCT-ND	2,691	1	Cut Tape	1.320	0.831	0.548	0.387	0.354

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Datasheet8ページ21年前

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Arrow Electronics

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サプライチェーン

Country of OriginIsrael, Mainland China, Philippines, Thailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-07-20

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2025-12-31

LTD Date2026-12-31

説明

Infineon SI4435DYTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.015Ohm;ID -8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel 30 V 0.02 Ohm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Semicontronic

P CHANNEL MOSFET, 8A; TRANSISTOR POLARIT; P CHANNEL MOSFET, 8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W

element14 APAC