Infineon IRLZ44ZPBF

Name: Infineon IRLZ44ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLZ44ZPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 11 Milliohms; Id 51A; TO-220AB; Pd 80W; Vgs +/-1

$ 0.901

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRLZ44ZPBF	23,792					0.642	0.533	0.475	15h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRLZ44ZPBF	0	5	Bulk		1.410	1.270	1.270	1.270	7h
Farnell	2	IRLZ44ZPBF..	0	1		1.815*	1.815*	0.988*	0.788*	0.788*	1d
Microchip USA	2	IRLZ44ZPBF	2,727	3500	Tube					0.444	7h
Verical		IRLZ44ZPBF	23,600	468					0.666	0.594

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IHS

Datasheet13ページ15年前

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Farnell

Future Electronics

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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部品

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InfineonIRLZ44ZPBF

InfineonAUIRLZ44Z

Price @ 1000

$ 0.901

$ 0.653

Stock

296,780

279,757

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220-3

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

51 A

Threshold Voltage

3 V

1 V

Rds On Max

13.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

80 W

Input Capacitance

1.62 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-02

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-03-13

LTD Date2008-09-13

説明

Infineon IRLZ44ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 51A;TO-220AB;PD 80W;VGS +/-1

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 13.5 mOhm 24 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:51A; On Resistance, Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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