Infineon IRLZ34NSPBF

Name: Infineon IRLZ34NSPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLZ34NSPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.035 Ohm; Id 30A; D2PAK; Pd 68W; Vgs +/-16V; -55D

$ 1.25

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLZ34NSPBF	0	850	Bulk				1.250	1.250	12h
Microchip USA	IRLZ34NSPBF	321	600	Tube				4.160	4.160	17h
Win Source	WS-IRLZ34NSPBF	20	65				0.812	0.541	0.541	1d
Worldway Electronics	IRLZ34NSPBF	9,185	7	Tube		1.325	1.300	1.250	1.225	23h
Aztech	IRLZ34NSPBF	469			4.970	4.970	4.970	4.970	4.970	19h

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Datasheet11ページ21年前

Datasheet12ページ21年前

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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ソース	eCAD	mCAD	ファイル
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部品

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InfineonIRLZ34NSPBF

InfineonIRLZ34NSTRLPBF

Price @ 1000

$ 1.25

$ 0.578

Stock

80,337

1,037,798

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

30 A

Threshold Voltage

2 V

Rds On Max

35 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

3.8 W

Input Capacitance

880 pF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1998-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

説明

Infineon IRLZ34NSPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.035Ohm;ID 30A;D2Pak;PD 68W;VGS +/-16V;-55d

RS (Formerly Allied Electronics)

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:30A; On Resistance, Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.8W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:110mJ; Capacitance Ciss Typ:880pF; Current Id Max:30A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:3.8W; Power Dissipation Pd:3.8W; Pulse Current Idm:110A; Reverse Recovery Time trr Typ:76ns; SMD Marking:Z34NS; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC