Infineon IRLR7843PBF

Name: Infineon IRLR7843PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR7843PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 2.6MILLIOHMS; Id 161A; D-pak (TO-252AA); Vf 1V

$ 2.24

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	IRLR7843PBF	1,125	4546					0.155	13h
Flip Electronics	IRLR7843PBF	1,125							6d
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLR7843PBF	0	675	Bulk			2.240	1.310	2h
Farnell	IRLR7843PBF	0	5		1.243*	0.888*	0.691*	0.596*	1d
Win Source	WS-IRLR7843PBF	39,510	65			0.809	0.539	0.539	11h

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RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-07-15

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRLR7843PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level

Infineon

MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:161A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; Power Dissipation Pd:140W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:161A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:140W; Power Dissipation Pd:140W; Pulse Current Idm:620A; SMD Marking:IRLR7843; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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