Infineon IRLR3717PBF

Name: Infineon IRLR3717PBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR3717PBF

IRLR3717PBF N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 20 V, 3-Pin DPAK

$ 2.6

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRLR3717PBF	0	5	Bulk		2.890	2.600	2.600	2.600	19h
Farnell	IRLR3717PBF	0	1		1.215*	1.215*	0.777*	0.684*	0.684*	2h
Win Source	WS-IRLR3717PBF	1,000	45				1.156	0.770	0.770	4h
Worldway Electronics	IRLR3717PBF	16,801	7	Tube		0.827	0.802	0.759	0.759	3h
Aztech	IRLR3717PBF	534			11.160	11.160	11.160	11.160	11.160	23h

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IHS

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SnapEDA	フットプリント		ダウンロード

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-06-27

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRLR3717PBFの詳細は販売業者から提供されます。

IRLR3717PBF N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 20 V, 3-Pin DPAK

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 20 V 5.5 mOhm 31 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, N, LOGIC, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:89W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:120A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:89W; Power Dissipation Pd:89W; Pulse Current Idm:460A; SMD Marking:IRLR3717; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC