CADモデル
製造元 Infineon IRLR3114ZTRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.547
$ 2.07
$ 2.07
Stock
840,584
694,686
694,686
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
1 V
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
4.9 mΩ
4.9 mΩ
4.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.81 nF
3.81 nF
3.81 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
説明
Infineon IRLR3114ZTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 40 V 4.9 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
N CHANNEL MOSFET, 40V, 130A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 40V, 130A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
Benefits: Advanced Process Technology; Ultra Low On-Resistance; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Logic Level | Target Applications: AC-DC; Battery Operated Drive
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.81 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max4.9 mΩ
Resistance4.9 MΩ
Rise Time140 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント