価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRLR3110ZTRPBF | 26,000 | 2K | 11h | ||||||||
| Newark | IRLR3110ZTRPBF | 10,752 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRLR3110ZTRPBF | 18,000 | 2K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOSP12633 | 110,000 | 2K | 17h | ||||||||
| Rochester Electronics | IRLR3110ZTRPBF | 1,250 | 9h |
CADモデル
製造元 Infineon IRLR3110ZTRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード | |
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.659
$ 0.877
$ 0.877
Stock
1,418,299
1,945,006
1,945,006
Authorized Distributors
6
5
5
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
42 A
42 A
42 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
14 mΩ
14 mΩ
14 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
140 W
140 W
140 W
Input Capacitance
3.98 nF
3.98 nF
3.98 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-01-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
関連部品
InfineonIRFR3710ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 15Milliohms;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
InfineonIRFR3710ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 15Milliohms;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);-55deg
STMicroelectronicsSTD47N10F7AG
Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
説明
Infineon IRLR3110ZTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。
TAPE AND REEL / MOSFET, 100V, 63A, 14 mOhm, 34 nC Qg, Logic Level, D-Pak
Single N-Channel 100 V 16 mOhm 48 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 100V, 42A, TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Source Voltage Vds:100V; On Resistance
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.98 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation140 W
Rds On Max14 mΩ
Resistance14 MΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント