Infineon IRLR2905ZTRPBF

Name: Infineon IRLR2905ZTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR2905ZTRPBF

In a Tube of 75, N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR2905ZPBF

$ 0.464

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IRLR2905ZTRPBF	2,751	5	Cut Tape		0.999	0.816	0.745	0.745
Arrow Electronics	3	IRLR2905ZTRPBF	3,650	1		1.371	1.371	1.371	1.371	1.371
Rutronik		TMOSP12621	2,000	2K						0.317	22h
Rochester Electronics		IRLR2905ZTRPBF	2,820					0.449	0.373	0.332	14h
DigiKey	3	IRLR2905ZTRPBFCT-ND	8,861	1	Cut Tape	1.530	0.967	0.642	0.457	0.457

在庫履歴

3か月間の傾向 : +63.17%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRLR2905ZTRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet12ページ15年前

Datasheet11ページ16年前

IHS

iiiC

在庫履歴

3か月間の傾向:

+63.17%

CADモデル

製造元 Infineon IRLR2905ZTRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント	3D	ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

InfineonIRLR2905ZTRPBF

InfineonAUIRLR2905ZTRL

Price @ 1000

$ 0.464

$ 1.305

Stock

1,115,454

250,502

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

42 A

Threshold Voltage

Rds On Max

13.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

110 W

Input Capacitance

1.57 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-02

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRLR2905ZTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

In a Tube of 75, N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR2905ZPBF

Fly-Wing Technology

Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

Win Source

Single N-Channel 55 V 22.5 mOhm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature; Logic Level | Target Applications: AC-DC

Infineon

N CHANNEL MOSFET, 55V, 42A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:42mA; Drain Source Voltage, Vds:55V; On Resistance, Rds(on):0.135ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 42 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13.5 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 33 / Rise Time ns = 130 / Turn-OFF Delay Time ns = 24 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 110

Distrelec