Infineon IRLR024NTRPBF

Name: Infineon IRLR024NTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLR024NTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 55V; Rds(on) 0.065 Ohm; Id 17A; D-pak (TO-252AA); Pd 45W

$ 0.31

Production

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRLR024NTRPBF	2,000	2K						0.185	18h
Newark	3	IRLR024NTRPBF	135	1	Cut Tape	1.110	0.723	0.503	0.456	0.456
Arrow Electronics	4	IRLR024NTRPBF	2,901	1		0.220	0.220	0.220	0.220	0.220
Future Electronics	2	IRLR024NTRPBF	632,000	2K	Tape & Reel					0.220
DigiKey	3	IRLR024NPBFCT-ND	57,740	1	Cut Tape	1.090	0.680	0.444	0.310	0.310

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Newark

Datasheet11ページ21年前

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DigiKey

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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部品

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InfineonIRLR024NTRPBF

STMicroelectronicsSTD20NF06LT4

Price @ 1000

$ 0.31

$ 0.538

Stock

5,471,965

2,303,863

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

TO-252

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

60 V

Continuous Drain Current (ID)

17 A

24 A

Threshold Voltage

2 V

2.5 V

Rds On Max

65 mΩ

40 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

18 V

Power Dissipation

38 W

60 W

Input Capacitance

480 pF

660 pF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-03-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRLR024NTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W

RS (Formerly Allied Electronics)

IRLR024NTRPBF,MOSFET, 55V, 17A , 65 MOHM, 10 NC QG, LOGIC LE

Jameco

Single N-Channel 55 V 0.11 Ohm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, N Channel, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Surface Mount

Avnet

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:45W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLR024NTRPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 17 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 65 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 29 / Rise Time ns = 74 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 7.1 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 45

Distrelec