Infineon IRLML5103TRPBF

Name: Infineon IRLML5103TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLML5103TRPBF

INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V

$ 0.123

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRLML5103TRPBF	234,000	3K						0.054	2d
Newark	2	IRLML5103TRPBF	4,452	1	Cut Tape	0.505	0.310	0.196	0.130	0.130
Future Electronics	2	IRLML5103TRPBF	741,000	3K	Tape & Reel					0.070
Arrow Electronics	3	IRLML5103TRPBF	26,726	1		0.419	0.169	0.134	0.115	0.081
Rochester Electronics		IRLML5103TRPBF	1,130,266					0.088	0.073	0.065	28m

在庫履歴

3か月間の傾向 : +8.18%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRLML5103TRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ12年前

Datasheet9ページ23年前

Datasheet8ページ14年前

Datasheet8ページ28年前

Newark

element14 APAC

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

在庫履歴

3か月間の傾向:

+8.18%

CADモデル

製造元 Infineon IRLML5103TRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	シンボルフットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

InfineonIRLML5103TRPBF

InfineonIRLML5103GTRPBF

Price @ 1000

$ 0.123

$ 0.186

Stock

18,459,018

131,067

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

Drain to Source Voltage (Vdss)

-30 V

Continuous Drain Current (ID)

540 mA

760 mA

Threshold Voltage

-1 V

Rds On Max

600 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

340 mW

540 mW

Input Capacitance

75 pF

サプライチェーン

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1995-07-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

説明

Infineon IRLML5103TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V

Fly-Wing Technology

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.6Ohm;ID -0.76A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

Infineon SCT

Single P-Channel 30 V 1 Ohm 5.1 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23

Future Electronics

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 540 mW

Distrelec

HEXFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

ComSIT Distribution GmbH

P Channel Mosfet, -30V, 760Ma, Sot-23; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:760Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLML5103TRPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon