Infineon IRLL024ZPBF

Name: Infineon IRLL024ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLL024ZPBF

Single N-Channel 55 V 100 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRLL024ZPBF	0	2K	Bulk				0.800	12h
Farnell		IRLL024ZPBF	0	5		0.828*	0.477*	0.322*	0.310*	5h
Microchip USA		IRLL024Z	351	600	Tube			3.130	3.130	3d
Win Source	2	WS-IRLL024Z	10,000	60			0.836	0.557	0.557	20h
Worldway Electronics	2	IRLL024Z	11,305	7	Tube	0.123	0.119	0.113	0.113	3d

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Datasheet10ページ15年前

IHS

element14

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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部品

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InfineonIRLL024ZPBF

InfineonIRLL024ZTRPBF

Price @ 1000

$ 0.344

Stock

284,992

686,161

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Continuous Drain Current (ID)

5 A

Threshold Voltage

3 V

Rds On Max

60 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

16 V

Power Dissipation

1 W

2.8 W

Input Capacitance

380 pF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-07-16

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-08-19

LTD Date2010-02-19

説明

Infineon IRLL024ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 55 V 100 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223

Future Electronics

Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 55V; 5A; 2.8W; SOT223

AAA CHIPS

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, 55V, 5A, 60 MOHM, 7 NC QG, LOGIC LEVEL, SOT-223

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature; Logic Level | Target Applications: Load Switch High Side

Infineon

MOSFET TRANSISTOR; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:5A; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:2.8W; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC