Infineon IRL3103PBF

Name: Infineon IRL3103PBF
Brand: Infineon
SKU: IRL3103PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 12 Milliohms; Id 64A; TO-220AB; Pd 94W; Vgs +/-1

$ 0.489

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRL3103PBF	150					0.589	0.489	0.436	14h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRL3103PBF	0	3K	Bulk					5.460	6h
Farnell		IRL3103PBF	0	1		1.249*	0.956*	0.956*	0.956*	0.956*	1d
Component Stockers USA		IRL3103PBF	167			0.490	0.490	0.460	0.460	0.460	1d
Win Source	2	WS-IRL3103	4,200	80				0.728	0.486	0.486	15h

在庫履歴

3か月間の傾向 : +0.00%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRL3103PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ22年前

Datasheet9ページ22年前

Datasheet9ページ25年前

DigiKey

RS (Formerly Allied Electronics)

Farnell

iiiC

在庫履歴

3か月間の傾向:

+0.00%

CADモデル

製造元 Infineon IRL3103PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1996-11-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2012-12-28

LTD Date2013-06-28

説明

Infineon IRL3103PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 64A;TO-220AB;PD 94W;VGS +/-1

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 12 mOhm 33 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Avalanche Rated; Logic Level

Infineon

Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

N CHANNEL MOSFET, 30V, 64A TO-220AB; Tra; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:83W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:64A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.8°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:83W; Power Dissipation Pd:83W; Pulse Current Idm:220A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V

element14 APAC